硅酸盐通报

2020, v.39;No.285(06) 1985-1988

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Al-S共掺杂SnO_2电子结构的第一性原理研究
First-principles Study on Electronic Structure of Al-S Co-doped SnO_2

于淼;

摘要(Abstract):

本文采用第一性原理方法,研究了Al-S、Al-2S共掺SnO_2的能带结构、态密度以及Mulliken布局。研究结果表明,Al-S共掺时,态密度向低能区方向移动,费米面附近出现深杂质能级,起复合中心的作用,主要由S的3p态贡献;Al-2S共掺时,态密度向低能方向移动程度更高,费米能级附近形成浅施主能级,能级距离导带底更近,S的3p态贡献更大。Al-S共掺会打破SnO_2电子平衡状态,导致电荷密度重新分布。

关键词(KeyWords): SnO_2;Al-S共掺杂;能带结构;态密度

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 于淼;

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参考文献(References):

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